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平行板电容器的电场强度是E=4πkσ/s。平行板电容来自器:U=Q/C=Q/(εS/4πkd)=4πkdQ/εS，电场：E=U/d=4πkQ/εS=(4πk/ε)*Q/S而对于同一个平行板电容来讲，(4πk/ε)是定值（360问答常数）。因此平行板的电场强度E取决于：Q/S——极板电荷的面密度。平行板电容器的电容量是随两致重板的相对面积和两板航告苗祖续石吃间的距离的变化而变化的。并且与两板间的师非源电介质有关。
平行板电容器中电面领团歌相苏命持荷与场强的关系：
1.从场强产生的原因来说,电荷越多越密集,产生的场强就越强。
2.从电容的角度来说,U=Q/C,电容一定,电荷的面密度越大,电荷量越大,U越大,再根据U=Ed可知,场强越大。
