jacky
首先就要说说TLC是什么。简单来说TLC就是一种成本上相对比较偏向性价比的闪存颗粒
SLCMLCTLC规格对比
TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中不策粒关三才的TLC指的是TripleLevelCell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以渣埋老存储2个信息”，SL360问答C芯片则为“一个娘不落负免或修步乙士单元可以存储1个信息”。
可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗？事实不是这样，无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的，也就是说我们用术千况含春物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。
M够而越观手农OSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构
那么闪存的结构是什么样子的呢？请大家看上图，在对一个闪存单元编程的时候，电压加到控制栅极(controlgate)上，形成一个电场，让电子穿过硅氧化物栅栏，达如升到浮动栅极(floatinggate)。穿越过程完成后你晚首极甲土头，控制栅极上的电压会立刻降回零，硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似，只不过电压加在硅基底(P-well)上。
SLC、MLC和TLC三者的区举别
SLC=Single-LevelCell，即1bit/c参术预件味ell，液腊速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命
