沟道雪崩击穿是小尺寸MOSFET中的一种强电场效应。在短沟道n-MOSFET中，沟道中较强的电场，可使沟道中的电子通过碰撞电离和雪崩倍增而产生出大量的电子-空穴对 (在漏端夹断区更明显)，倍增出的电子将被漏极吸收、并使漏极电流剧增而导致器件击穿——沟道雪崩击穿；与此同时也将产生较大的寄生衬底电流 (空穴被衬底吸收所致)。
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沟道雪崩击穿
jacky
2024-10-31 00:34
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