由于SiC 材料具有禁带宽度大，载流子迁移率较高( 达到Si 材料的80%)，进入了研究人员的视线，多种结构SiC 基器肖特基结器件见诸报道。但SiC 材料昂贵，适用于制造600 V ～ 3000 V 的高速器件。因此在300 V ～ 500 V 电压范围内，硅基肖特基结二极管仍有很大的市场空间。
想要了解更多“硅基肖特基二极管”的信息，请点击：硅基肖特基二极管百科
硅基肖特基二极管
jacky
2024-09-18 21:13
阅读 326
